유형 | 제품 요약 | 모두 선택 |
|---|---|---|
종류 | ||
제조업체 | SemiQ | |
계열 | - | |
포장 | 트레이 | |
부품 현황 | 활성 | |
기술 | 실리콘 카바이드(SiC) | |
구성 | 2 N 채널(하프브리지) | |
FET 특징 | - | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1200V(1.2kV) | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 348A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7m옴 @ 200A, 20V | |
Vgs(th)(최대) @ Id | 4V @ 80mA | |
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs | 978nC @ 20V | |
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds | 29300pF @ 800V | |
전력 - 최대 | 1.042kW(Tc) | |
작동 온도 | -40°C ~ 175°C(TJ) | |
등급 | - | |
인증 | - | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | 모듈 | |
공급 장치 패키지 | - |
| 수량 | 단가 | 총액 |
|---|---|---|
| 1 | ₩247,598.00000 | ₩247,598 |
| 10 | ₩224,761.40000 | ₩2,247,614 |



