Name: SCT2H12NWBTL1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-SCT2H12NWBTL1TR-ND
Price: 9319 KRW
Availability: InStock

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SCT2H12NWBTL1
DigiKey 제품 번호	846-SCT2H12NWBTL1TR-ND - 테이프 및 릴(TR) 846-SCT2H12NWBTL1CT-ND - 컷 테이프(CT) 846-SCT2H12NWBTL1DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Rohm Semiconductor
제조업체 제품 번호	SCT2H12NWBTL1
제품 요약	SICFET N-CH 1700V 4A TO268
제조업체 표준 리드 타임	23주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 1700 V 3.9A(Tc) 39W(Tc) 표면 실장 TO-263CA-7LSHYAD
규격서	규격서

제품 특성

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빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 4V @ 410µA
제조업체 Rohm Semiconductor	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 24 nC @ 18 V
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	Vgs(최대) +22V, -6V
부품 현황 활성	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 197 pF @ 800 V
FET 유형 N채널	내전력(최대) 39W(Tc)
기술 SiCFET(실리콘 카바이드)	작동 온도 175°C(TJ)
드레인 - 소스 전압(Vdss) 1700 V	실장 유형 표면 실장
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 3.9A(Tc)	공급 장치 패키지 TO-263CA-7LSHYAD
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 18V	패키지/케이스 TO-263-8, D2PAK(7리드 + 탭), TO-263CA
Rds On(최대) @ Id, Vgs 1.5옴 @ 1.1A, 18V