Name: SCT2H12NWBTL1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-SCT2H12NWBTL1TR-ND
Price: 8618 KRW
Availability: InStock

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SCT2H12NWBTL1
DigiKey 제품 번호	846-SCT2H12NWBTL1TR-ND - 테이프 및 릴(TR) 846-SCT2H12NWBTL1CT-ND - 컷 테이프(CT) 846-SCT2H12NWBTL1DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Rohm Semiconductor
제조업체 제품 번호	SCT2H12NWBTL1
제품 요약	SICFET N-CH 1700V 4A TO268
제조업체 표준 리드 타임	23주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 1700 V 3.9A(Tc) 39W(Tc) 표면 실장 TO-263CA-7LSHYAD
규격서	규격서

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
제조업체	Rohm Semiconductor
계열	-
포장	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®
부품 현황	활성
FET 유형	N채널
기술	SiCFET(실리콘 카바이드)
드레인 - 소스 전압(Vdss)	1700 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	3.9A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	18V
Rds On(최대) @ Id, Vgs	1.5옴 @ 1.1A, 18V
Vgs(th)(최대) @ Id	4V @ 410µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	24 nC @ 18 V
Vgs(최대)	+22V, -6V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	197 pF @ 800 V
FET 특징	-
내전력(최대)	39W(Tc)
작동 온도	175°C(TJ)
등급	-
인증	-
실장 유형	표면 실장
공급 장치 패키지	TO-263CA-7LSHYAD
패키지/케이스	TO-263-8, D2PAK(7리드 + 탭), TO-263CA