Name: RS7E200BGTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RS7E200BGTB1TR-ND
Price: 8317 KRW
Availability: InStock

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RS7E200BGTB1
DigiKey 제품 번호	846-RS7E200BGTB1TR-ND - 테이프 및 릴(TR) 846-RS7E200BGTB1CT-ND - 컷 테이프(CT) 846-RS7E200BGTB1DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Rohm Semiconductor
제조업체 제품 번호	RS7E200BGTB1
제품 요약	NCH 30V 390A, DFN5060-8S, POWER
제조업체 표준 리드 타임	18주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 30 V 390A(Ta) 3W(Ta), 180W(Tc) 표면 실장 DFN5060-8S
규격서	규격서

제품 특성

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빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 2.5V @ 1mA
제조업체 Rohm Semiconductor	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 135 nC @ 10 V
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	Vgs(최대) ±20V
부품 현황 활성	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 9500 pF @ 15 V
FET 유형 N채널	내전력(최대) 3W(Ta), 180W(Tc)
기술 MOSFET(금속 산화물)	작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
드레인 - 소스 전압(Vdss) 30 V	실장 유형 표면 실장
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 390A(Ta)	공급 장치 패키지 DFN5060-8S
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V	패키지/케이스 8-PowerTDFN
Rds On(최대) @ Id, Vgs 0.67m옴 @ 50A, 10V