Name: RS7E200BGTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RS7E200BGTB1TR-ND
Price: 7560 KRW
Availability: InStock

신제품

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RS7E200BGTB1
DigiKey 제품 번호	846-RS7E200BGTB1TR-ND - 테이프 및 릴(TR) 846-RS7E200BGTB1CT-ND - 컷 테이프(CT) 846-RS7E200BGTB1DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Rohm Semiconductor
제조업체 제품 번호	RS7E200BGTB1
제품 요약	NCH 30V 390A, DFN5060-8S, POWER
제조업체 표준 리드 타임	19주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 30 V 390A(Ta) 3W(Ta), 180W(Tc) 표면 실장 DFN5060-8S
규격서	규격서

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
제조업체	Rohm Semiconductor
계열	-
포장	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®
부품 현황	활성
FET 유형	N채널
기술	MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)	30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	390A(Ta)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	4.5V, 10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs	0.67m옴 @ 50A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id	2.5V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	135 nC @ 10 V
Vgs(최대)	±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	9500 pF @ 15 V
FET 특징	-
내전력(최대)	3W(Ta), 180W(Tc)
작동 온도	-55°C ~ 150°C(TJ)
등급	-
인증	-
실장 유형	표면 실장
공급 장치 패키지	DFN5060-8S
패키지/케이스	8-PowerTDFN