Name: RS6L090BGTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RS6L090BGTB1TR-ND
Price: 4816 KRW
Availability: InStock

보여진 사진은 제품을 대표적으로 묘사하는 사진입니다. 정확한 규격은 제품의 데이터시트에서 확인하셔야 합니다.

RS6L090BGTB1
DigiKey 제품 번호	846-RS6L090BGTB1TR-ND - 테이프 및 릴(TR) 846-RS6L090BGTB1CT-ND - 컷 테이프(CT) 846-RS6L090BGTB1DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Rohm Semiconductor
제조업체 제품 번호	RS6L090BGTB1
제품 요약	NCH 60V 90A, HSOP8, POWER MOSFET
제조업체 표준 리드 타임	18주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 60 V 90A(Tc) 3W(Ta), 73W(Tc) 표면 실장 8-HSOP
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	RS6L090BGTB1 모델

제품 특성

유사 제품 검색

빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 2.5V @ 1mA
제조업체 Rohm Semiconductor	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 28 nC @ 10 V
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	Vgs(최대) ±20V
부품 현황 활성	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 1950 pF @ 30 V
FET 유형 N채널	내전력(최대) 3W(Ta), 73W(Tc)
기술 MOSFET(금속 산화물)	작동 온도 150°C(TJ)
드레인 - 소스 전압(Vdss) 60 V	실장 유형 표면 실장
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 90A(Tc)	공급 장치 패키지 8-HSOP
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V	패키지/케이스 8-PowerTDFN
Rds On(최대) @ Id, Vgs 4.7m옴 @ 90A, 10V