Name: RS1E350BNTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RS1E350BNTB1TR-ND
Price: 5323 KRW
Availability: InStock

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RS1E350BNTB1
DigiKey 제품 번호	846-RS1E350BNTB1TR-ND - 테이프 및 릴(TR) 846-RS1E350BNTB1CT-ND - 컷 테이프(CT) 846-RS1E350BNTB1DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Rohm Semiconductor
제조업체 제품 번호	RS1E350BNTB1
제품 요약	NCH 30V 80A POWER MOSFET: RS1E35
제조업체 표준 리드 타임	18주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 30 V 35A(Ta), 80A(Tc) 3W(Ta), 35W(Tc) 표면 실장 8-HSOP
규격서	규격서

제품 특성

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빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 2.5V @ 1mA
제조업체 Rohm Semiconductor	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 185 nC @ 10 V
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	Vgs(최대) ±20V
부품 현황 활성	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 7900 pF @ 15 V
FET 유형 N채널	내전력(최대) 3W(Ta), 35W(Tc)
기술 MOSFET(금속 산화물)	작동 온도 150°C(TJ)
드레인 - 소스 전압(Vdss) 30 V	실장 유형 표면 실장
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 35A(Ta), 80A(Tc)	공급 장치 패키지 8-HSOP
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V	패키지/케이스 8-PowerTDFN
Rds On(최대) @ Id, Vgs 1.7m옴 @ 35A, 10V	기준 제품 번호 RS1E