Name: RS1E200GNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RS1E200GNTBTR-ND
Price: 2061 KRW
Availability: InStock

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RS1E200GNTB
DigiKey 제품 번호	RS1E200GNTBTR-ND - 테이프 및 릴(TR) RS1E200GNTBCT-ND - 컷 테이프(CT) RS1E200GNTBDKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Rohm Semiconductor
제조업체 제품 번호	RS1E200GNTB
제품 요약	MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
제조업체 표준 리드 타임	16주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 30 V 20A(Ta), 57A(Tc) 3W(Ta), 25W(Tc) 표면 실장 8-HSOP
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	RS1E200GNTB 모델

제품 특성

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종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 2.5V @ 1mA
제조업체 Rohm Semiconductor	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 16.8 nC @ 10 V
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	Vgs(최대) ±20V
부품 현황 활성	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 1080 pF @ 15 V
FET 유형 N채널	내전력(최대) 3W(Ta), 25W(Tc)
기술 MOSFET(금속 산화물)	작동 온도 150°C(TJ)
드레인 - 소스 전압(Vdss) 30 V	실장 유형 표면 실장
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 20A(Ta), 57A(Tc)	공급 장치 패키지 8-HSOP
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V	패키지/케이스 8-PowerTDFN
Rds On(최대) @ Id, Vgs 4.6m옴 @ 20A, 10V	기준 제품 번호 RS1E

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대체품(1)

부품 번호	제조업체	주문 가능 수량	DigiKey 제품 번호	단가	대체품 유형
BSC042N03LSGATMA1	Infineon Technologies	17,286	BSC042N03LSGATMA1CT-ND	₩2,747.00000	유사

재고: 2,252

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