Name: RQ3L070BGTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RQ3L070BGTB1TR-ND
Price: 1250 KRW
Availability: InStock

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RQ3L070BGTB1
DigiKey 제품 번호	846-RQ3L070BGTB1TR-ND - 테이프 및 릴(TR) 846-RQ3L070BGTB1CT-ND - 컷 테이프(CT) 846-RQ3L070BGTB1DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Rohm Semiconductor
제조업체 제품 번호	RQ3L070BGTB1
제품 요약	NCH 60V 20A, HSMT8G, POWER MOSFE
제조업체 표준 리드 타임	21주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 60 V 7A(Ta), 20A(Tc) 2W(Ta), 15W(Tc) 표면 실장 8-HSMT(3.2x3)
규격서	규격서

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
제조업체	Rohm Semiconductor
계열	-
포장	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®
부품 현황	활성
FET 유형	N채널
기술	MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)	60 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	7A(Ta), 20A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	4.5V, 10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs	24.7m옴 @ 7A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id	2.5V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	7.6 nC @ 10 V
Vgs(최대)	±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	460 pF @ 30 V
FET 특징	-
내전력(최대)	2W(Ta), 15W(Tc)
작동 온도	150°C(TJ)
등급	-
인증	-
실장 유형	표면 실장
공급 장치 패키지	8-HSMT(3.2x3)
패키지/케이스	8-PowerVDFN

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