


RQ3E080BNTB | |
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DigiKey 제품 번호 | RQ3E080BNTBTR-ND - 테이프 및 릴(TR) RQ3E080BNTBCT-ND - 컷 테이프(CT) RQ3E080BNTBDKR-ND - Digi-Reel® |
제조업체 | |
제조업체 제품 번호 | RQ3E080BNTB |
제품 요약 | MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT |
제조업체 표준 리드 타임 | 21주 |
고객 참조 번호 | |
제품 세부 정보 | N채널 30 V 8A(Ta) 2W(Ta) 표면 실장 8-HSMT(3.2x3) |
규격서 | 규격서 |
EDA/CAD 모델 | RQ3E080BNTB 모델 |
유형 | 제품 요약 | 모두 선택 |
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종류 | ||
제조업체 | ||
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel® | |
부품 현황 | 활성 | |
FET 유형 | ||
기술 | ||
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30 V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | ||
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 15.2m옴 @ 8A, 10V | |
Vgs(th)(최대) @ Id | 2.5V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs | 14.5 nC @ 10 V | |
Vgs(최대) | ±20V | |
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds | 660 pF @ 15 V | |
FET 특징 | - | |
내전력(최대) | 2W(Ta) | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
등급 | - | |
인증 | - | |
실장 유형 | 표면 실장 | |
공급 장치 패키지 | 8-HSMT(3.2x3) | |
패키지/케이스 | ||
기준 제품 번호 |
수량 | 단가 | 총액 |
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1 | ₩779.00000 | ₩779 |
10 | ₩354.20000 | ₩3,542 |
100 | ₩230.86000 | ₩23,086 |
수량 | 단가 | 총액 |
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3,000 | ₩164.88000 | ₩494,640 |
6,000 | ₩163.38117 | ₩980,287 |
9,000 | ₩159.27478 | ₩1,433,473 |
15,000 | ₩157.97340 | ₩2,369,601 |