RD3G600GNTL Rohm Semiconductor | 단일 FET, MOSFET

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RD3G600GNTL
DigiKey 제품 번호	RD3G600GNTLTR-ND - 테이프 및 릴(TR) RD3G600GNTLCT-ND - 컷 테이프(CT) RD3G600GNTLDKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Rohm Semiconductor
제조업체 제품 번호	RD3G600GNTL
제품 요약	MOSFET N-CH 40V 60A TO252
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 40 V 60A(Tc) 40W(Tc) 표면 실장 TO-252
규격서	규격서

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
제조업체	Rohm Semiconductor
계열	-
포장	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®
부품 현황	단종
FET 유형	N채널
기술	MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)	40 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	60A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	4.5V, 10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs	3.6m옴 @ 60A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id	2.5V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	46.5 nC @ 10 V
Vgs(최대)	±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	3400 pF @ 20 V
FET 특징	-
내전력(최대)	40W(Tc)
작동 온도	150°C(TJ)
등급	-
인증	-
실장 유형	표면 실장
공급 장치 패키지	TO-252
패키지/케이스	TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63
기준 제품 번호	RD3G600