R6024KNZ1C9 Rohm Semiconductor | 단일 FET, MOSFET

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종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 5V @ 1mA
제조업체 Rohm Semiconductor	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 45 nC @ 10 V
포장 튜브	Vgs(최대) ±20V
부품 현황 단종	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 2000 pF @ 25 V
FET 유형 N채널	내전력(최대) 245W(Tc)
기술 MOSFET(금속 산화물)	작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
드레인 - 소스 전압(Vdss) 600 V	실장 유형 스루홀
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 24A(Tc)	공급 장치 패키지 TO-247
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V	패키지/케이스 TO-247-3
Rds On(최대) @ Id, Vgs 165m옴 @ 11.3A, 10V

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추가 리소스

대체품(11)

부품 번호	제조업체	주문 가능 수량	DigiKey 제품 번호	단가	대체품 유형
R6024KNZ4C13	Rohm Semiconductor	267	846-R6024KNZ4C13-ND	₩11,435.00000	직접
R6024KNZC17	Rohm Semiconductor	300	846-R6024KNZC17-ND	₩10,671.00000	유사
FCH190N65F-F155	onsemi	381	FCH190N65F-F155-ND	₩11,420.00000	유사
IPW60R180C7XKSA1	Infineon Technologies	162	448-IPW60R180C7XKSA1-ND	₩8,240.00000	유사
IPW60R190C6FKSA1	Infineon Technologies	2,139	IPW60R190C6FKSA1-ND	₩8,607.00000	유사

재고: 1

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수량

모든 가격은 KRW 기준입니다.

튜브

수량	단가	총액
1	₩7,185.00000	₩7,185

참고: DigiKey 부가 가치 서비스로 인해, 표준 패키지보다 적은 수량으로 제품을 구매할 경우 포장 유형이 변경될 수 있습니다.

R6024KNZ1C9