R6020KNZ1C9은(는) 단종되었으며 더 이상 제조되지 않습니다.
사용 가능한 대체품:

직접


Rohm Semiconductor
재고 있음: 402
단가 : ₩13.55000
규격서

유사


Rohm Semiconductor
재고 있음: 17
단가 : ₩5.56000
규격서

직접


onsemi
재고 있음: 381
단가 : ₩11.38000
규격서

유사


Infineon Technologies
재고 있음: 713
단가 : ₩6.91000
규격서

유사


IXYS
재고 있음: 717
단가 : ₩21.12000
규격서

유사


IXYS
재고 있음: 0
단가 : ₩18.32000
규격서

유사


IXYS
재고 있음: 0
단가 : ₩11.44477
규격서

유사


IXYS
재고 있음: 0
단가 : ₩25.64000
규격서

유사


IXYS
재고 있음: 0
단가 : ₩31.77450

유사


IXYS
재고 있음: 0
단가 : ₩0.00000

유사


IXYS
재고 있음: 0
단가 : ₩12.01000
규격서

유사


Vishay Siliconix
재고 있음: 0
단가 : ₩8.74000
규격서
R6020ENZ4C13
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R6020KNZ1C9

DigiKey 제품 번호
R6020KNZ1C9-ND
제조업체
제조업체 제품 번호
R6020KNZ1C9
제품 요약
MOSFET N-CH 600V 20A TO247
고객 참조 번호
제품 세부 정보
N채널 600 V 20A(Tc) 231W(Tc) 스루홀 TO-247
규격서
 규격서
EDA/CAD 모델
R6020KNZ1C9 모델
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
계열
-
포장
튜브
부품 현황
단종
FET 유형
기술
드레인 - 소스 전압(Vdss)
600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
196m옴 @ 9.5A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id
5V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
1550 pF @ 25 V
FET 특징
-
내전력(최대)
231W(Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C(TJ)
등급
-
인증
-
실장 유형
스루홀
공급 장치 패키지
TO-247
패키지/케이스
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단종
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