R6020ENZ1C9은(는) 단종되었으며 더 이상 제조되지 않습니다.
사용 가능한 대체품:

직접


Rohm Semiconductor
재고 있음: 550
단가 : ₩9,937.00000
규격서

유사


Rohm Semiconductor
재고 있음: 46
단가 : ₩10,426.00000
규격서

유사


Microchip Technology
재고 있음: 0
단가 : ₩17,550.62000
규격서

유사


Infineon Technologies
재고 있음: 227
단가 : ₩8,317.00000
규격서

유사


IXYS
재고 있음: 510
단가 : ₩24,354.00000
규격서

유사


IXYS
재고 있음: 0
단가 : ₩21,113.00000
규격서

유사


IXYS
재고 있음: 0
단가 : ₩29,582.00000
규격서

유사


IXYS
재고 있음: 0
단가 : ₩43,537.16667
규격서

유사


Vishay Siliconix
재고 있음: 439
단가 : ₩8,775.00000
규격서

유사


Infineon Technologies
재고 있음: 5,195
단가 : ₩11,023.00000
규격서

유사


STMicroelectronics
재고 있음: 0
단가 : ₩6,987.00000
규격서

유사


Toshiba Semiconductor and Storage
재고 있음: 13
단가 : ₩10,870.00000
규격서
N채널 600 V 20A(Tc) 120W(Tc) 스루홀 TO-247
보여진 사진은 제품을 대표적으로 묘사하는 사진입니다. 정확한 규격은 제품의 데이터시트에서 확인하셔야 합니다.

R6020ENZ1C9

DigiKey 제품 번호
R6020ENZ1C9-ND
제조업체
제조업체 제품 번호
R6020ENZ1C9
제품 요약
MOSFET N-CH 600V 20A TO247
고객 참조 번호
제품 세부 정보
N채널 600 V 20A(Tc) 120W(Tc) 스루홀 TO-247
규격서
 규격서
EDA/CAD 모델
R6020ENZ1C9 모델
제품 특성
유사 제품 검색
빈 특성 표시
종류
Vgs(th)(최대) @ Id
4V @ 1mA
제조업체
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
60 nC @ 10 V
포장
튜브
Vgs(최대)
±20V
부품 현황
단종
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
1400 pF @ 25 V
FET 유형
내전력(최대)
120W(Tc)
기술
작동 온도
150°C(TJ)
드레인 - 소스 전압(Vdss)
600 V
실장 유형
스루홀
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
공급 장치 패키지
TO-247
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
10V
패키지/케이스
Rds On(최대) @ Id, Vgs
196m옴 @ 9.5A, 10V
환경 및 수출 등급 분류
제품 관련 질문 및 답변
추가 리소스
대체품(12)
부품 번호제조업체 주문 가능 수량DigiKey 제품 번호 단가 대체품 유형
R6020ENZ4C13Rohm Semiconductor550846-R6020ENZ4C13-ND₩9,937.00000직접
R6020ENZC17Rohm Semiconductor46846-R6020ENZC17-ND₩10,426.00000유사
APT34M60BMicrochip Technology0APT34M60B-ND₩17,550.62000유사
IPW65R190C7XKSA1Infineon Technologies227IPW65R190C7XKSA1-ND₩8,317.00000유사
IXFH36N60PIXYS510IXFH36N60P-ND₩24,354.00000유사
단종
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