R6020ENZ1C9은(는) 단종되었으며 더 이상 제조되지 않습니다.
사용 가능한 대체품:

직접


Rohm Semiconductor
재고 있음: 550
단가 : ₩9,674.00000
규격서

유사


Rohm Semiconductor
재고 있음: 296
단가 : ₩10,150.00000
규격서

유사


Microchip Technology
재고 있음: 0
단가 : ₩17,085.00000
규격서

유사


Infineon Technologies
재고 있음: 38
단가 : ₩6,072.00000
규격서

유사


IXYS
재고 있음: 717
단가 : ₩19,883.00000
규격서

유사


IXYS
재고 있음: 0
단가 : ₩17,249.00000
규격서

유사


IXYS
재고 있음: 0
단가 : ₩24,139.00000
규격서

유사


IXYS
재고 있음: 0
단가 : ₩29,914.02000

유사


IXYS
재고 있음: 0
단가 : ₩0.00000

유사


Infineon Technologies
재고 있음: 1,811
단가 : ₩7,337.00000
규격서

유사


STMicroelectronics
재고 있음: 908
단가 : ₩6,459.00000
규격서

유사


Toshiba Semiconductor and Storage
재고 있음: 13
단가 : ₩11,965.00000
규격서
R6020ENZ4C13
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R6020ENZ1C9

DigiKey 제품 번호
R6020ENZ1C9-ND
제조업체
제조업체 제품 번호
R6020ENZ1C9
제품 요약
MOSFET N-CH 600V 20A TO247
고객 참조 번호
제품 세부 정보
N채널 600 V 20A(Tc) 120W(Tc) 스루홀 TO-247
규격서
 규격서
EDA/CAD 모델
R6020ENZ1C9 모델
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
계열
-
포장
튜브
부품 현황
단종
FET 유형
기술
드레인 - 소스 전압(Vdss)
600 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
196m옴 @ 9.5A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id
4V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
1400 pF @ 25 V
FET 특징
-
내전력(최대)
120W(Tc)
작동 온도
150°C(TJ)
등급
-
인증
-
실장 유형
스루홀
공급 장치 패키지
TO-247
패키지/케이스
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단종
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