Name: R6009ENX
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: R6009ENX-ND
Price: 6910 KRW
Availability: InStock

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종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 4V @ 1mA
제조업체 Rohm Semiconductor	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 23 nC @ 10 V
포장 벌크	Vgs(최대) ±20V
부품 현황 기존 설계 전용	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 430 pF @ 25 V
FET 유형 N채널	내전력(최대) 40W(Tc)
기술 MOSFET(금속 산화물)	작동 온도 150°C(TJ)
드레인 - 소스 전압(Vdss) 600 V	실장 유형 스루홀
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 9A(Tc)	공급 장치 패키지 TO-220FM
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V	패키지/케이스 TO-220-3 풀팩(Full Pack)
Rds On(최대) @ Id, Vgs 535m옴 @ 2.8A, 10V	기준 제품 번호 R6009

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문서 및 미디어

환경 및 수출 등급 분류

추가 리소스

대체품(6)

부품 번호	제조업체	주문 가능 수량	DigiKey 제품 번호	단가	대체품 유형
FCPF600N60Z	onsemi	624	FCPF600N60Z-ND	₩4,938.00000	유사
IPA70R450P7SXKSA1	Rochester Electronics, LLC	31,924	2156-IPA70R450P7SXKSA1-ND	₩2,064.00000	유사
SPA11N80C3XKSA1	Infineon Technologies	1,613	448-SPA11N80C3XKSA1-ND	₩5,320.00000	유사
STF11N60DM2	STMicroelectronics	1,322	497-16960-ND	₩3,593.00000	유사
STP11NM60FDFP	STMicroelectronics	120	497-5392-5-ND	₩10,442.00000	유사