Name: R6007ENX
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: R6007ENX-ND
Price: 5198 KRW
Availability: InStock

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종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 4V @ 1mA
제조업체 Rohm Semiconductor	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 20 nC @ 10 V
포장 벌크	Vgs(최대) ±20V
부품 현황 활성	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 390 pF @ 25 V
FET 유형 N채널	내전력(최대) 40W(Tc)
기술 MOSFET(금속 산화물)	작동 온도 150°C(TJ)
드레인 - 소스 전압(Vdss) 600 V	실장 유형 스루홀
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 7A(Tc)	공급 장치 패키지 TO-220FM
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V	패키지/케이스 TO-220-3 풀팩(Full Pack)
Rds On(최대) @ Id, Vgs 620m옴 @ 2.4A, 10V	기준 제품 번호 R6007

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추가 리소스

대체품(3)

부품 번호	제조업체	주문 가능 수량	DigiKey 제품 번호	단가	대체품 유형
IPAN65R650CEXKSA1	Infineon Technologies	14	IPAN65R650CEXKSA1-ND	₩2,553.00000	유사
IXTP4N70X2M	IXYS	24	238-IXTP4N70X2M-ND	₩7,782.00000	유사
TK8A65W,S5X	Toshiba Semiconductor and Storage	10	TK8A65WS5X-ND	₩4,112.00000	유사

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R6007ENX