
HS8K1TB | |
---|---|
DigiKey 제품 번호 | HS8K1TBTR-ND - 테이프 및 릴(TR) HS8K1TBCT-ND - 컷 테이프(CT) HS8K1TBDKR-ND - Digi-Reel® |
제조업체 | Rohm Semiconductor |
제조업체 제품 번호 | HS8K1TB |
제품 요약 | MOSFET 2N-CH 30V 10A HSML3030L10 |
제조업체 표준 리드 타임 | 16주 |
고객 참조 번호 | |
제품 세부 정보 | MOSFET - 어레이 30V 10A(Ta), 11A(Ta) 2W(Ta) 표면 실장 HSML3030L10 |
규격서 | 규격서 |
유형 | 제품 요약 | 모두 선택 |
---|---|---|
종류 | ||
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel® | |
부품 현황 | 활성 | |
기술 | MOSFET(금속 산화물) | |
구성 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | - | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10A(Ta), 11A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 14.6m옴 @ 10A, 10V, 11.8m옴 @ 11A, 10V | |
Vgs(th)(최대) @ Id | 2.5V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs | 6nC @ 10V, 7.4nC @ 10V | |
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds | 348pF @ 15V, 429pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 2W(Ta) | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면 실장 | |
패키지/케이스 | 8-UDFN 노출형 패드 | |
공급 장치 패키지 | HSML3030L10 | |
기준 제품 번호 |
수량 | cms-unit-price | 총액 |
---|---|---|
1 | ₩1,308.00000 | ₩1,308 |
10 | ₩1,022.80000 | ₩10,228 |
100 | ₩709.04000 | ₩70,904 |
500 | ₩602.65000 | ₩301,325 |
1,000 | ₩547.42600 | ₩547,426 |
수량 | cms-unit-price | 총액 |
---|---|---|
3,000 | ₩436.18300 | ₩1,308,549 |
6,000 | ₩431.68617 | ₩2,590,117 |
9,000 | ₩419.69489 | ₩3,777,254 |
15,000 | ₩411.46560 | ₩6,171,984 |