Name: HS8K11TB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: HS8K11TBTR-ND
Price: 1544 KRW
Availability: InStock

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HS8K11TB
DigiKey 제품 번호	HS8K11TBTR-ND - 테이프 및 릴(TR) HS8K11TBCT-ND - 컷 테이프(CT) HS8K11TBDKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Rohm Semiconductor
제조업체 제품 번호	HS8K11TB
제품 요약	MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
제조업체 표준 리드 타임	16주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	MOSFET - 어레이 30V 7A, 11A 2W 표면 실장 HSML3030L10
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	HS8K11TB 모델

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET FET, MOSFET 어레이
제조업체	Rohm Semiconductor
계열	-
포장	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®
부품 현황	활성
기술	MOSFET(금속 산화물)
구성	2 N-Chan(이중)
FET 특징	논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)	30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	7A, 11A
Rds On(최대) @ Id, Vgs	17.9m옴 @ 7A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id	2.5V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	11.1nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	500pF @ 15V
전력 - 최대	2W
작동 온도	150°C(TJ)
실장 유형	표면 실장
패키지/케이스	8-UDFN 노출형 패드
공급 장치 패키지	HSML3030L10
기준 제품 번호	HS8K11