Name: HP8M31TB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: HP8M31TB1TR-ND
Price: 4673 KRW
Availability: InStock

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HP8M31TB1
DigiKey 제품 번호	HP8M31TB1TR-ND - 테이프 및 릴(TR) HP8M31TB1CT-ND - 컷 테이프(CT) HP8M31TB1DKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Rohm Semiconductor
제조업체 제품 번호	HP8M31TB1
제품 요약	MOSFET N/P-CH 60V 8.5A 8HSOP
제조업체 표준 리드 타임	21주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	MOSFET - 어레이 60V 8.5A(Ta) 3W(Ta) 표면 실장 8-HSOP
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	HP8M31TB1 모델

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET FET, MOSFET 어레이
제조업체	Rohm Semiconductor
계열	-
포장	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®
부품 현황	활성
기술	MOSFET(금속 산화물)
구성	N 및 P 채널
FET 특징	-
드레인 - 소스 전압(Vdss)	60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	8.5A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs	65m옴 @ 8.5A, 10V, 70m옴 @ 8.5A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id	3V @ 1mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	12.3nC @ 10V, 38nC @ 10V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	470pF @ 30V, 2300pF @ 30V
전력 - 최대	3W(Ta)
작동 온도	150°C(TJ)
실장 유형	표면 실장
패키지/케이스	8-PowerTDFN
공급 장치 패키지	8-HSOP
기준 제품 번호	HP8M31