Name: PMCXB900UEZ
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 2156-PMCXB900UEZ-NEX-ND
Price: 411.60038 KRW
Availability: InStock

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제품 특성

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종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET FET, MOSFET 어레이	Rds On(최대) @ Id, Vgs 620m옴 @ 600mA, 4.5V
제조업체 NXP Semiconductors	Vgs(th)(최대) @ Id 950mV @ 250µA
계열 TrenchFET®	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 0.7nC(4.5V)
포장 벌크	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 21.3pF @ 10V
부품 현황 활성	전력 - 최대 265mW
기술 MOSFET(금속 산화물)	작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
구성 N 및 P 채널 보완 부품	실장 유형 표면 실장
FET 특징 논리 레벨 게이트	패키지/케이스 6-XFDFN 노출형 패드
드레인 - 소스 전압(Vdss) 20V	공급 장치 패키지 DFN1010B-6
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 600mA, 500mA	기준 제품 번호 PMCXB900

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