Name: IRFD210
Brand: Harris Corporation
SKU: 2156-IRFD210-ND
Price: 22515 KRW
Availability: InStock

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IRFD210
DigiKey 제품 번호	2156-IRFD210-ND
제조업체	Harris Corporation
제조업체 제품 번호	IRFD210
제품 요약	0.6A 200V 1.500 OHM N-CHANNEL
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 200 V 600mA(Ta) 1W(Ta) 스루홀 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
규격서	규격서

제품 특성

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빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 4V @ 250µA
제조업체 Harris Corporation	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 8.2 nC @ 10 V
포장 벌크	Vgs(최대) ±20V
부품 현황 활성	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 140 pF @ 25 V
FET 유형 N채널	내전력(최대) 1W(Ta)
기술 MOSFET(금속 산화물)	작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
드레인 - 소스 전압(Vdss) 200 V	실장 유형 스루홀
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 600mA(Ta)	공급 장치 패키지 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V	패키지/케이스 4-DIP(0.300", 7.62mm)
Rds On(최대) @ Id, Vgs 1.5옴 @ 360mA, 10V	기준 제품 번호 IRFD210