TPD3215M Renesas Electronics Corporation | 이산 반도체 제품

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TPD3215M
DigiKey 제품 번호	TPD3215M-ND
제조업체	Renesas Electronics Corporation
제조업체 제품 번호	TPD3215M
제품 요약	MOSFET 2N-CH 600V 70A MODULE
고객 참조 번호
제품 세부 정보	MOSFET - 어레이 600V 70A(Tc) 470W 스루홀 모듈
규격서	규격서

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET FET, MOSFET 어레이
제조업체	Renesas Electronics Corporation
계열	-
포장	벌크
부품 현황	단종
기술	GaNFET(질화 갈륨)
구성	2 N 채널(하프브리지)
FET 특징	-
드레인 - 소스 전압(Vdss)	600V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	70A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs	34m옴 @ 30A, 8V
Vgs(th)(최대) @ Id	-
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	28nC(8V)
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	2260pF @ 100V
전력 - 최대	470W
작동 온도	-40°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형	스루홀
패키지/케이스	모듈
공급 장치 패키지	모듈
기준 제품 번호	TPD3215