TP90H050WS Renesas Electronics Corporation | 이산 반도체 제품

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TP90H050WS
DigiKey 제품 번호	1707-TP90H050WS-ND
제조업체	Renesas Electronics Corporation
제조업체 제품 번호	TP90H050WS
제품 요약	GANFET N-CH 900V 34A TO247-3
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 900 V 34A(Tc) 119W(Tc) 스루홀 TO-247-3
규격서	규격서

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
제조업체	Renesas Electronics Corporation
계열	-
포장	튜브
부품 현황	단종
FET 유형	N채널
기술	GaNFET(캐스코드 질화 갈륨 FET)
드레인 - 소스 전압(Vdss)	900 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	34A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs	63m옴 @ 22A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id	4.4V @ 700µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	17.5 nC @ 10 V
Vgs(최대)	±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	980 pF @ 600 V
FET 특징	-
내전력(최대)	119W(Tc)
작동 온도	-55°C ~ 150°C
등급	-
인증	-
실장 유형	스루홀
공급 장치 패키지	TO-247-3
패키지/케이스	TO-247-3
기준 제품 번호	TP90H050