TP65H300G4LSG-TR Renesas Electronics Corporation | 이산 반도체 제품

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TP65H300G4LSG-TR
DigiKey 제품 번호	1707-TP65H300G4LSG-TR-ND - 테이프 및 릴(TR) 1707-TP65H300G4LSG-TRCT-ND - 컷 테이프(CT) 1707-TP65H300G4LSG-TRDKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Renesas Electronics Corporation
제조업체 제품 번호	TP65H300G4LSG-TR
제품 요약	GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 650 V 6.5A(Tc) 21W(Tc) 표면 실장 3-PQFN(8x8)
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	TP65H300G4LSG-TR 모델

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
제조업체	Renesas Electronics Corporation
계열	-
포장	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®
부품 현황	Digi-Key에서 공급 중단
FET 유형	N채널
기술	GaNFET(질화 갈륨)
드레인 - 소스 전압(Vdss)	650 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	6.5A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	8V
Rds On(최대) @ Id, Vgs	312m옴 @ 5A, 8V
Vgs(th)(최대) @ Id	2.6V @ 500µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	9.6 nC @ 8 V
Vgs(최대)	±18V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	760 pF @ 400 V
FET 특징	-
내전력(최대)	21W(Tc)
작동 온도	-55°C ~ 150°C(TJ)
등급	-
인증	-
실장 유형	표면 실장
공급 장치 패키지	3-PQFN(8x8)
패키지/케이스	3-PowerDFN
기준 제품 번호	TP65H300