Name: TP65H150G4LSG-TR
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H150G4LSG-TR-ND
Price: 9637 KRW
Availability: InStock

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TP65H150G4LSG-TR
DigiKey 제품 번호	1707-TP65H150G4LSG-TR-ND - 테이프 및 릴(TR) 1707-TP65H150G4LSG-TRCT-ND - 컷 테이프(CT) 1707-TP65H150G4LSG-TRDKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	Renesas Electronics Corporation
제조업체 제품 번호	TP65H150G4LSG-TR
제품 요약	650 V 13 A GAN FET
제조업체 표준 리드 타임	16주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 650 V 13A(Tc) 52W(Tc) 표면 실장 3-PQFN(8x8)
규격서	규격서

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
제조업체	Renesas Electronics Corporation
계열	-
포장	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®
부품 현황	활성
FET 유형	N채널
기술	GaNFET(질화 갈륨)
드레인 - 소스 전압(Vdss)	650 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	13A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs	180m옴 @ 8.5A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id	4.8V @ 500µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	8 nC @ 10 V
Vgs(최대)	±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	598 pF @ 400 V
FET 특징	-
내전력(최대)	52W(Tc)
작동 온도	-55°C ~ 150°C(TJ)
등급	-
인증	-
실장 유형	표면 실장
공급 장치 패키지	3-PQFN(8x8)
패키지/케이스	3-PowerTDFN