Name: RBE035N04R0SZN6#HB0
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-RBE035N04R0SZN6#HB0TR-ND
Price: 494.5214 KRW
Availability: OutOfStock

DigiKey에 추가된 신제품

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RBE035N04R0SZN6#HB0
DigiKey 제품 번호	559-RBE035N04R0SZN6#HB0TR-ND - 테이프 및 릴(TR)
제조업체	Renesas Electronics Corporation
제조업체 제품 번호	RBE035N04R0SZN6#HB0
제품 요약	POWER:POWER MOSFETS
제조업체 표준 리드 타임	12주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 40 V 80A(Tc) 71W(Tc) 표면 실장 8-DFN(4.9x5.75)
규격서	규격서

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
제조업체	Renesas Electronics Corporation
계열	-
포장	테이프 및 릴(TR)
부품 현황	활성
FET 유형	N채널
기술	MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)	40 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	80A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs	3.5m옴 @ 40A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id	4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	40 nC @ 10 V
Vgs(최대)	±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	2100 pF @ 25 V
FET 특징	-
내전력(최대)	71W(Tc)
작동 온도	175°C(TJ)
등급	-
인증	-
실장 유형	표면 실장
공급 장치 패키지	8-DFN(4.9x5.75)
패키지/케이스	8-PowerTDFN