Name: RBE030N04R0SZN6#HB0
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-RBE030N04R0SZN6#HB0TR-ND
Price: 546.7416 KRW
Availability: OutOfStock

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RBA80N04DANS-4UB03#HB0

Renesas Electronics Corporation

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단가 : ₩555.49560

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N채널 40 V 80A(Tc) 79W(Tc) 표면 실장 8-DFN(4.9x5.75)

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RBE030N04R0SZN6#HB0
DigiKey 제품 번호	559-RBE030N04R0SZN6#HB0TR-ND - 테이프 및 릴(TR)
제조업체	Renesas Electronics Corporation
제조업체 제품 번호	RBE030N04R0SZN6#HB0
제품 요약	POWER:POWER MOSFETS
제조업체 표준 리드 타임	12주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 40 V 80A(Tc) 79W(Tc) 표면 실장 8-DFN(4.9x5.75)
규격서	규격서

제품 특성

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종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 4V @ 250µA
제조업체 Renesas Electronics Corporation	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 56 nC @ 10 V
포장 테이프 및 릴(TR)	Vgs(최대) ±20V
부품 현황 활성	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 2690 pF @ 25 V
FET 유형 N채널	내전력(최대) 79W(Tc)
기술 MOSFET(금속 산화물)	작동 온도 175°C(TJ)
드레인 - 소스 전압(Vdss) 40 V	실장 유형 표면 실장
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 80A(Tc)	공급 장치 패키지 8-DFN(4.9x5.75)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V	패키지/케이스 8-PowerTDFN
Rds On(최대) @ Id, Vgs 3m옴 @ 40A, 10V