Name: RBA30N04DANS-4UB10#HB0
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-RBA30N04DANS-4UB10#HB0TR-ND
Price: 378.2098 KRW
Availability: OutOfStock

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RBE100N04R0SZN6#HB0

Renesas Electronics Corporation

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N채널 40 V 30A(Tc) 26W(Tc) 표면 실장 8-DFN(4.9x5.75)

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RBA30N04DANS-4UB10#HB0
DigiKey 제품 번호	559-RBA30N04DANS-4UB10#HB0TR-ND - 테이프 및 릴(TR)
제조업체	Renesas Electronics Corporation
제조업체 제품 번호	RBA30N04DANS-4UB10#HB0
제품 요약	RBA30N04DANS-4UB10#HB0
제조업체 표준 리드 타임	12주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 40 V 30A(Tc) 26W(Tc) 표면 실장 8-DFN(4.9x5.75)
규격서	규격서

제품 특성

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종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 19 nC @ 10 V
제조업체 Renesas Electronics Corporation	Vgs(최대) ±20V
포장 테이프 및 릴(TR)	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 770 pF @ 25 V
부품 현황 활성	내전력(최대) 26W(Tc)
FET 유형 N채널	작동 온도 175°C(TJ)
기술 MOSFET(금속 산화물)	등급 자동차
드레인 - 소스 전압(Vdss) 40 V	인증 AEC-Q101
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 30A(Tc)	실장 유형 표면 실장
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V	공급 장치 패키지 8-DFN(4.9x5.75)
Rds On(최대) @ Id, Vgs 10m옴 @ 15A, 10V	패키지/케이스 8-PowerTDFN
Vgs(th)(최대) @ Id 4V @ 250µA