Name: NP110N03PUG-E1-AY
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: NP110N03PUG-E1-AY-ND
Price: 3432.15625 KRW
Availability: OutOfStock

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PSMN1R5-30BLEJ

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유사

STB200NF03T4

STMicroelectronics

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N채널 30 V 110A(Tc) 1.8W(Ta), 288W(Tc) 표면 실장 TO-263

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NP110N03PUG-E1-AY
DigiKey 제품 번호	NP110N03PUG-E1-AY-ND - 테이프 및 릴(TR)
제조업체	Renesas Electronics Corporation
제조업체 제품 번호	NP110N03PUG-E1-AY
제품 요약	MOSFET N-CH 30V 110A TO263
제조업체 표준 리드 타임	12주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 30 V 110A(Tc) 1.8W(Ta), 288W(Tc) 표면 실장 TO-263
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	NP110N03PUG-E1-AY 모델

제품 특성

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빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 4V @ 250µA
제조업체 Renesas Electronics Corporation	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 380 nC @ 10 V
포장 테이프 및 릴(TR)	Vgs(최대) ±20V
부품 현황 활성	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 24600 pF @ 25 V
FET 유형 N채널	내전력(최대) 1.8W(Ta), 288W(Tc)
기술 MOSFET(금속 산화물)	작동 온도 175°C(TJ)
드레인 - 소스 전압(Vdss) 30 V	실장 유형 표면 실장
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 110A(Tc)	공급 장치 패키지 TO-263
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V	패키지/케이스 TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
Rds On(최대) @ Id, Vgs 1.5m옴 @ 55A, 10V	기준 제품 번호 NP110N03