NXH010P120MNF1PNG
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Enabling Future DCFC with onsemi’s EliteSiC Power Modules

NXH010P120MNF1PG

DigiKey 제품 번호
5556-NXH010P120MNF1PG-ND
제조업체
onsemi
제조업체 제품 번호
NXH010P120MNF1PG
제품 요약
MOSFET 2N-CH 1200V 114A
제조업체 표준 리드 타임
17주
고객 참조 번호
제품 세부 정보
MOSFET - 어레이 1200V(1.2kV) 114A(Tc) 250W(Tj) 섀시 실장
규격서
 규격서
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
onsemi
계열
-
포장
트레이
부품 현황
활성
기술
실리콘 카바이드(SiC)
구성
2N 채널(이중)공통 소스
FET 특징
-
드레인 - 소스 전압(Vdss)
1200V(1.2kV)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
114A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
14m옴 @ 100A, 20V
Vgs(th)(최대) @ Id
4.3V @ 40mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
454nC @ 20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
4707pF @ 800V
전력 - 최대
250W(Tj)
작동 온도
-40°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형
섀시 실장
패키지/케이스
모듈
공급 장치 패키지
-
기준 제품 번호
NXH010
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재고: 28
공장 재고: 56
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수량
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트레이
수량 단가 총액
1₩186,566.00000₩186,566
28₩161,009.50000₩4,508,266
제조업체 표준 포장
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