MOSFET - 어레이 1200V(1.2kV) 400A(Tj) 1000W(Tj) 스루홀 AHPM15-CDE
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NVVR26A120M1WSB

DigiKey 제품 번호
5556-NVVR26A120M1WSB-ND
제조업체
제조업체 제품 번호
NVVR26A120M1WSB
제품 요약
MOSFET 2N-CH 1200V AHPM15-CDE
제조업체 표준 리드 타임
21주
고객 참조 번호
제품 세부 정보
MOSFET - 어레이 1200V(1.2kV) 400A(Tj) 1000W(Tj) 스루홀 AHPM15-CDE
규격서
 규격서
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
onsemi
계열
-
포장
튜브
부품 현황
활성
기술
실리콘 카바이드(SiC)
구성
2 N 채널(하프브리지)
FET 특징
-
드레인 - 소스 전압(Vdss)
1200V(1.2kV)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
400A(Tj)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
2.6m옴 @ 400A, 20V
Vgs(th)(최대) @ Id
3.2V @ 150mA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
1750nC @ 20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
31700pF @ 800V
전력 - 최대
1000W(Tj)
작동 온도
-40°C ~ 175°C(TJ)
등급
자동차
인증
AEC-Q101
실장 유형
스루홀
패키지/케이스
15-PowerDIP 모듈(2.441", 62.00mm)
공급 장치 패키지
AHPM15-CDE
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