NVMFD5873NLT1G은(는) 단종되었으며 더 이상 제조되지 않습니다.
사용 가능한 대체품:

유사

IPG20N06S4L14AATMA1
Infineon Technologies
재고 있음: 24,482
단가 : ₩3,629.00000
규격서

유사

IPG20N06S4L14ATMA2
Infineon Technologies
재고 있음: 7,275
단가 : ₩3,598.00000
규격서
모든 대체품 보기 및 비교
MOSFET - 어레이 60V 10A 3.1W 표면 실장 8-DFN(5x6) 이중 플래그(SO8FL-Dual)
보여진 사진은 제품을 대표적으로 묘사하는 사진입니다. 정확한 규격은 제품의 데이터시트에서 확인하셔야 합니다.
MOSFET - 어레이 60V 10A 3.1W 표면 실장 8-DFN(5x6) 이중 플래그(SO8FL-Dual)
8 Power TDFN

NVMFD5873NLT1G

DigiKey 제품 번호
NVMFD5873NLT1GOSTR-ND - 테이프 및 릴(TR)
제조업체
onsemi
제조업체 제품 번호
NVMFD5873NLT1G
제품 요약
MOSFET 2N-CH 60V 10A 8DFN
고객 참조 번호
제품 세부 정보
MOSFET - 어레이 60V 10A 3.1W 표면 실장 8-DFN(5x6) 이중 플래그(SO8FL-Dual)
규격서
 규격서
EDA/CAD 모델
NVMFD5873NLT1G 모델
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
onsemi
계열
-
포장
테이프 및 릴(TR)
부품 현황
단종
기술
MOSFET(금속 산화물)
구성
2 N-Chan(이중)
FET 특징
논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)
60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
10A
Rds On(최대) @ Id, Vgs
13m옴 @ 15A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id
2.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
30.5nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
1560pF @ 25V
전력 - 최대
3.1W
작동 온도
-55°C ~ 175°C(TJ)
등급
자동차
인증
AEC-Q101
실장 유형
표면 실장
패키지/케이스
8-PowerTDFN
공급 장치 패키지
8-DFN(5x6) 이중 플래그(SO8FL-Dual)
기준 제품 번호
NVMFD5873
제품 관련 질문 및 답변

엔지니어의 질문을 확인하거나, 직접 질문하거나, DigiKey 엔지니어링 커뮤니티의 회원을 도와주세요.

단종
이 제품은 더 이상 제조되지 않습니다. 대체품 제품을 확인하세요.