NVD3055L170T4G onsemi | 단일 FET, MOSFET

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종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 10 nC @ 5 V
제조업체 onsemi	Vgs(최대) ±15V
포장 테이프 및 릴(TR)	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 275 pF @ 25 V
부품 현황 단종	내전력(최대) 1.5W(Ta), 28.5W(Tj)
FET 유형 N채널	작동 온도 -55°C ~ 175°C(TJ)
기술 MOSFET(금속 산화물)	등급 자동차
드레인 - 소스 전압(Vdss) 60 V	인증 AEC-Q101
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 9A(Ta)	실장 유형 표면 실장
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 5V	공급 장치 패키지 DPAK
Rds On(최대) @ Id, Vgs 170m옴 @ 4.5A, 5V	패키지/케이스 TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63
Vgs(th)(최대) @ Id 2V @ 250µA	기준 제품 번호 NVD3055

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단종

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NVD3055L170T4G