NVB5860NLT4G onsemi | 이산 반도체 제품

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사용 가능한 대체품:

유사

onsemi

재고 있음: 162

단가 : ₩5,525.00000

보여진 사진은 제품을 대표적으로 묘사하는 사진입니다. 정확한 규격은 제품의 데이터시트에서 확인하셔야 합니다.

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
제조업체	onsemi
계열	-
포장	테이프 및 릴(TR)
부품 현황	단종
FET 유형	N채널
기술	MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)	60 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	220A(Ta)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	4.5V, 10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs	3m옴 @ 20A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id	3V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	220 nC @ 10 V
Vgs(최대)	±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	13216 pF @ 25 V
FET 특징	-
내전력(최대)	283W(Tc)
작동 온도	-55°C ~ 175°C(TJ)
등급	자동차
인증	AEC-Q101
실장 유형	표면 실장
공급 장치 패키지	D2PAK
패키지/케이스	TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
기준 제품 번호	NVB586