Name: NTTFS1D2N02P1E
Brand: onsemi
SKU: 488-NTTFS1D2N02P1ETR-ND
Price: 4541 KRW
Availability: OutOfStock

NTTFS1D2N02P1E
DigiKey 제품 번호	488-NTTFS1D2N02P1ETR-ND - 테이프 및 릴(TR) 488-NTTFS1D2N02P1ECT-ND - 컷 테이프(CT) 488-NTTFS1D2N02P1EDKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	onsemi
제조업체 제품 번호	NTTFS1D2N02P1E
제품 요약	MOSFET N-CH 25V 23A/180A 8PQFN
제조업체 표준 리드 타임	20주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 25 V 23A(Ta), 180A(Tc) 820mW(Ta), 52W(Tc) 표면 실장 8-PQFN(3.3x3.3)
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	NTTFS1D2N02P1E 모델

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
제조업체	onsemi
계열	-
포장	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®
부품 현황	활성
FET 유형	N채널
기술	MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)	25 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	23A(Ta), 180A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	4.5V, 10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs	1m옴 @ 38A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id	2V @ 934µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	24 nC @ 4.5 V
Vgs(최대)	+16V, -12V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	4040 pF @ 13 V
FET 특징	-
내전력(최대)	820mW(Ta), 52W(Tc)
작동 온도	-55°C ~ 150°C(TJ)
등급	-
인증	-
실장 유형	표면 실장
공급 장치 패키지	8-PQFN(3.3x3.3)
패키지/케이스	8-PowerWDFN
기준 제품 번호	NTTFS1

NTTFS1D2N02P1E