MOSFET - 어레이 25V 11A(Ta), 21A(Ta) 800mW(Ta), 900mW(Ta) 표면 실장 8-PQFN(3.3x3.3)
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NTTFD1D8N02P1E

DigiKey 제품 번호
488-NTTFD1D8N02P1E-ND
제조업체
제조업체 제품 번호
NTTFD1D8N02P1E
제품 요약
MOSFET, POWER, 25V DUAL N-CHANNE
제조업체 표준 리드 타임
41주
고객 참조 번호
제품 세부 정보
MOSFET - 어레이 25V 11A(Ta), 21A(Ta) 800mW(Ta), 900mW(Ta) 표면 실장 8-PQFN(3.3x3.3)
규격서
 규격서
제품 특성
유사 제품 검색
빈 특성 표시
종류
Rds On(최대) @ Id, Vgs
4.2밀리옴 @ 15A, 10V, 1.4밀리옴 @ 29A, 10V
제조업체
onsemi
Vgs(th)(최대) @ Id
2V @ 190µA, 2V @ 310µA
계열
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
5.5nC @ 4.5V, 17nC @ 4.5V
포장
벌크
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
873pF @ 15V, 2700pF @ 15V
부품 현황
활성
전력 - 최대
800mW(Ta), 900mW(Ta)
기술
MOSFET(금속 산화물)
작동 온도
-55°C ~ 150°C(TJ)
구성
2 N 채널(이중) 비대칭
실장 유형
표면 실장
드레인 - 소스 전압(Vdss)
25V
패키지/케이스
8-PowerWDFN
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
11A(Ta), 21A(Ta)
공급 장치 패키지
8-PQFN(3.3x3.3)
환경 및 수출 등급 분류
제품 관련 질문 및 답변
추가 리소스
재고: 2,980
공장 재고: 27,000
추가 입고 예정인 재고 확인
모든 가격은 KRW 기준입니다.
벌크
수량 단가 총액
1₩3,440.00000₩3,440
10₩2,201.50000₩22,015
100₩1,496.39000₩149,639
500₩1,194.60400₩597,302
1,000₩1,097.58700₩1,097,587
3,000₩974.43167₩2,923,295
6,000₩942.12300₩5,652,738
제조업체 표준 포장