Name: NTMTSC4D2N10GTXG
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMTSC4D2N10GTXGTR-ND
Price: 11942 KRW
Availability: OutOfStock

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NTMTSC4D2N10GTXG
DigiKey 제품 번호	488-NTMTSC4D2N10GTXGTR-ND - 테이프 및 릴(TR) 488-NTMTSC4D2N10GTXGCT-ND - 컷 테이프(CT) 488-NTMTSC4D2N10GTXGDKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	onsemi
제조업체 제품 번호	NTMTSC4D2N10GTXG
제품 요약	100V MVSOA IN DFNW8(PQFN8X8) PAC
제조업체 표준 리드 타임	26주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 100 V 21A(Ta), 178A(Tc) 3.9W(Ta), 267W(Tc) 표면 실장, 웨터블 플랭크 8-TDFNW(8.3x8.4)
규격서	규격서

제품 특성

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빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 4V @ 450µA
제조업체 onsemi	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 159 nC @ 10 V
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	Vgs(최대) ±20V
부품 현황 활성	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 10450 pF @ 50 V
FET 유형 N채널	내전력(최대) 3.9W(Ta), 267W(Tc)
기술 MOSFET(금속 산화물)	작동 온도 -55°C ~ 175°C(TJ)
드레인 - 소스 전압(Vdss) 100 V	실장 유형 표면 실장, 웨터블 플랭크
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 21A(Ta), 178A(Tc)	공급 장치 패키지 8-TDFNW(8.3x8.4)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V	패키지/케이스 8-PowerTDFN
Rds On(최대) @ Id, Vgs 4.2m옴 @ 88A, 10V