Name: NTMFS3D2N10MDT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMFS3D2N10MDT1GTR-ND
Price: 7139 KRW
Availability: InStock

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NTMFS3D2N10MDT1G
DigiKey 제품 번호	488-NTMFS3D2N10MDT1GTR-ND - 테이프 및 릴(TR) 488-NTMFS3D2N10MDT1GCT-ND - 컷 테이프(CT) 488-NTMFS3D2N10MDT1GDKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	onsemi
제조업체 제품 번호	NTMFS3D2N10MDT1G
제품 요약	PTNG 100V LOW Q3.2MOHM N-FET, HE
제조업체 표준 리드 타임	48주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 100 V 19A(Ta), 142A(Tc) 2.8W(Ta), 155W(Tc) 표면 실장 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	NTMFS3D2N10MDT1G 모델

제품 특성

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빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 4V @ 316µA
제조업체 onsemi	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 71.3 nC @ 10 V
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	Vgs(최대) ±20V
부품 현황 활성	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 3900 pF @ 50 V
FET 유형 N채널	내전력(최대) 2.8W(Ta), 155W(Tc)
기술 MOSFET(금속 산화물)	작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
드레인 - 소스 전압(Vdss) 100 V	실장 유형 표면 실장
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 19A(Ta), 142A(Tc)	공급 장치 패키지 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 6V, 10V	패키지/케이스 8-PowerTDFN, 5 리드(Lead)
Rds On(최대) @ Id, Vgs 3.5m옴 @ 50A, 10V	기준 제품 번호 NTMFS3