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종류 | Vgs(th)(최대) @ Id 2V @ 250µA |
제조업체 onsemi | 게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 4nC(4.5V) |
포장 테이프 및 릴(TR) | 입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 480pF @ 10V |
부품 현황 단종 | 전력 - 최대 1.74W |
기술 MOSFET(금속 산화물) | 작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ) |
구성 2 N-Chan(이중) | 실장 유형 표면 실장 |
FET 특징 논리 레벨 게이트 | 패키지/케이스 6-VDFN 노출형 패드 |
드레인 - 소스 전압(Vdss) 20V | 공급 장치 패키지 6-DFN(3x3) |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 4.3A, 3.6A | 기준 제품 번호 |
Rds On(최대) @ Id, Vgs 60m옴 @ 4.3A, 4.5V |
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발송지: Rochester Electronics, LLC
