Name: NTH4L014N120M3P
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTH4L014N120M3P-ND
Price: 48096 KRW
Availability: InStock

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종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 4.63V @ 37mA
제조업체 onsemi	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 329 nC @ 18 V
포장 튜브	Vgs(최대) +22V, -10V
부품 현황 활성	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 6230 pF @ 800 V
FET 유형 N채널	내전력(최대) 686W(Tc)
기술 SiCFET(실리콘 카바이드)	작동 온도 -55°C ~ 175°C(TJ)
드레인 - 소스 전압(Vdss) 1200 V	실장 유형 스루홀
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 127A(Tc)	공급 장치 패키지 TO-247-4L
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 15V, 18V	패키지/케이스 TO-247-4
Rds On(최대) @ Id, Vgs 20m옴 @ 74A, 18V	기준 제품 번호 NTH4L014

제품 정보 오류 보고

문서 및 미디어

환경 및 수출 등급 분류

추가 리소스

대체품(5)

부품 번호	제조업체	주문 가능 수량	DigiKey 제품 번호	단가	대체품 유형
DMWSH120H18HM4	Diodes Incorporated	20	31-DMWSH120H18HM4-ND	₩257.86000	유사
DMWSH120H18HM4Q	Diodes Incorporated	30	31-DMWSH120H18HM4Q-ND	₩318.06000	유사
DMWSH120H23SM4	Diodes Incorporated	30	31-DMWSH120H23SM4-ND	₩249.01000	유사
DMWSH120H28SM4	Diodes Incorporated	25	31-DMWSH120H28SM4-ND	₩249.01000	유사
IMYR140R008M2HXLSA1	Infineon Technologies	239	448-IMYR140R008M2HXLSA1-ND	₩393.57000	유사