NTD4909NT4G onsemi | 단일 FET, MOSFET

N채널 30 V 8.8A(Ta), 41A(Tc) 1.37W(Ta), 29.4W(Tc) 표면 실장 DPAK

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NTD4909NT4G
DigiKey 제품 번호	NTD4909NT4GOSTR-ND - 테이프 및 릴(TR)
제조업체	onsemi
제조업체 제품 번호	NTD4909NT4G
제품 요약	MOSFET N-CH 30V 8.8A/41A DPAK
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 30 V 8.8A(Ta), 41A(Tc) 1.37W(Ta), 29.4W(Tc) 표면 실장 DPAK
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	NTD4909NT4G 모델

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
제조업체	onsemi
계열	-
포장	테이프 및 릴(TR)
부품 현황	활성
FET 유형	N채널
기술	MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)	30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	8.8A(Ta), 41A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	4.5V, 10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs	8m옴 @ 30A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id	2.2V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	17.5 nC @ 10 V
Vgs(최대)	±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	1314 pF @ 15 V
FET 특징	-
내전력(최대)	1.37W(Ta), 29.4W(Tc)
작동 온도	-55°C ~ 175°C(TJ)
등급	-
인증	-
실장 유형	표면 실장
공급 장치 패키지	DPAK
패키지/케이스	TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63
기준 제품 번호	NTD4909

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