종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 3V @ 250µA
제조업체 onsemi	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 172 nC @ 10 V
계열 UltraFET™	Vgs(최대) ±20V
포장 테이프 및 릴(TR)	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 7000 pF @ 15 V
부품 현황 단종	내전력(최대) 215W(Tc)
FET 유형 N채널	작동 온도 -55°C ~ 175°C(TJ)
기술 MOSFET(금속 산화물)	실장 유형 표면 실장
드레인 - 소스 전압(Vdss) 30 V	공급 장치 패키지 TO-263(D2PAK)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 75A(Tc)	패키지/케이스 TO-263-3, D2PAK(2리드 + 탭), TO-263AB
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V	기준 제품 번호 ISL9
Rds On(최대) @ Id, Vgs 3.2m옴 @ 75A, 10V

부품 번호	제조업체	주문 가능 수량	DigiKey 제품 번호	단가	대체품 유형
PSMN2R7-30BL,118	Nexperia USA Inc.	0	1727-7114-1-ND	₩4,143.00000	유사
PSMN3R4-30BL,118	Nexperia USA Inc.	5	1727-7115-1-ND	₩3,608.00000	유사
PSMN3R4-30BLE,118	Nexperia USA Inc.	216	1727-1102-1-ND	₩4,984.00000	유사
STB80NF03L-04T4	STMicroelectronics	53	497-7952-1-ND	₩7,338.00000	유사
STD155N3LH6	STMicroelectronics	2,500	497-11308-1-ND	₩3,532.00000	유사

ISL9N303AS3ST