유형 | 제품 요약 | 모두 선택 |
|---|---|---|
종류 | ||
제조업체 | onsemi | |
계열 | ||
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 단종 | |
기술 | MOSFET(금속 산화물) | |
구성 | 6 N-Chan(3상 브리지) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 150A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.66m옴 @ 80A, 10V | |
Vgs(th)(최대) @ Id | - | |
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 115W | |
작동 온도 | 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 19-PowerDIP 모듈 | |
공급 장치 패키지 | 모듈 | |
기준 제품 번호 |

