FQD7N10TM onsemi | 단일 FET, MOSFET

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유사

Infineon Technologies

재고 있음: 4,350

단가 : ₩2,385.00000

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종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 4V @ 250µA
제조업체 onsemi	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 7.5 nC @ 10 V
계열 QFET®	Vgs(최대) ±25V
포장 테이프 및 릴(TR)	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 250 pF @ 25 V
부품 현황 단종	내전력(최대) 2.5W(Ta), 25W(Tc)
FET 유형 N채널	작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
기술 MOSFET(금속 산화물)	실장 유형 표면 실장
드레인 - 소스 전압(Vdss) 100 V	공급 장치 패키지 TO-252AA
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 5.8A(Tc)	패키지/케이스 TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V	기준 제품 번호 FQD7
Rds On(최대) @ Id, Vgs 350m옴 @ 2.9A, 10V

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추가 리소스

대체품(1)

부품 번호	제조업체	주문 가능 수량	DigiKey 제품 번호	단가	대체품 유형
IRFR120NTRPBF	Infineon Technologies	4,350	IRFR120NPBFCT-ND	₩2,385.00000	유사

단종

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FQD7N10TM