FQD5N50CTM-WS onsemi | 이산 반도체 제품

FQD5N50CTM-WS은(는) 단종되었으며 더 이상 제조되지 않습니다.

사용 가능한 대체품:

제조업체 추천

onsemi

재고 있음: 2,048

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보여진 사진은 제품을 대표적으로 묘사하는 사진입니다. 정확한 규격은 제품의 데이터시트에서 확인하셔야 합니다.

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
제조업체	onsemi
계열	-
포장	테이프 및 릴(TR)
부품 현황	단종
FET 유형	N채널
기술	MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)	500 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	4A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs	1.4옴 @ 2A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id	4V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	24 nC @ 10 V
Vgs(최대)	±30V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	625 pF @ 25 V
FET 특징	-
내전력(최대)	2.5W(Ta)
작동 온도	-55°C ~ 150°C(TJ)
등급	-
인증	-
실장 유형	표면 실장
공급 장치 패키지	TO-252(DPAK)
패키지/케이스	TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63
기준 제품 번호	FQD5N50