FQD2N60CTM-WS은(는) 단종되었으며 더 이상 제조되지 않습니다.
사용 가능한 대체품:

등가 파라미터


onsemi
재고 있음: 4,844
단가 : ₩2,140.00000
규격서

유사


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
재고 있음: 34,999
단가 : ₩1,850.00000
규격서

유사


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
재고 있음: 2,357
단가 : ₩1,850.00000
규격서

유사


Vishay Siliconix
재고 있음: 3,449
단가 : ₩4,143.00000
규격서

유사


Vishay Siliconix
재고 있음: 0
단가 : ₩4,143.00000
규격서

유사


Vishay Siliconix
재고 있음: 0
단가 : ₩2,706.00000
규격서

유사


Vishay Siliconix
재고 있음: 0
단가 : ₩1,123.69333
규격서

유사


STMicroelectronics
재고 있음: 1,902
단가 : ₩3,027.00000
규격서

유사


STMicroelectronics
재고 있음: 2,974
단가 : ₩2,278.00000
규격서
N채널 600 V 1.9A(Tc) 2.5W(Ta), 44W(Tc) 표면 실장 TO-252AA
보여진 사진은 제품을 대표적으로 묘사하는 사진입니다. 정확한 규격은 제품의 데이터시트에서 확인하셔야 합니다.
N채널 600 V 1.9A(Tc) 2.5W(Ta), 44W(Tc) 표면 실장 TO-252AA
TO-252AA

FQD2N60CTM-WS

DigiKey 제품 번호
FQD2N60CTM-WSTR-ND - 테이프 및 릴(TR)
제조업체
제조업체 제품 번호
FQD2N60CTM-WS
제품 요약
MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
고객 참조 번호
제품 세부 정보
N채널 600 V 1.9A(Tc) 2.5W(Ta), 44W(Tc) 표면 실장 TO-252AA
규격서
 규격서
EDA/CAD 모델
FQD2N60CTM-WS 모델
제품 특성
유사 제품 검색
빈 특성 표시
종류
Vgs(th)(최대) @ Id
4V @ 250µA
제조업체
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
12 nC @ 10 V
계열
Vgs(최대)
±30V
포장
테이프 및 릴(TR)
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
235 pF @ 25 V
부품 현황
단종
내전력(최대)
2.5W(Ta), 44W(Tc)
FET 유형
작동 온도
-55°C ~ 150°C(TJ)
기술
실장 유형
표면 실장
드레인 - 소스 전압(Vdss)
600 V
공급 장치 패키지
TO-252AA
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
패키지/케이스
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
10V
기준 제품 번호
Rds On(최대) @ Id, Vgs
4.7옴 @ 950mA, 10V
환경 및 수출 등급 분류
제품 관련 질문 및 답변
추가 리소스
대체품(9)
부품 번호제조업체 주문 가능 수량DigiKey 제품 번호 단가 대체품 유형
FQD2N60CTMonsemi4,844FQD2N60CTMCT-ND₩2,140.00000등가 파라미터
AOD2N60Alpha & Omega Semiconductor Inc.34,999785-1180-1-ND₩1,850.00000유사
AOD2N60AAlpha & Omega Semiconductor Inc.2,357785-1663-1-ND₩1,850.00000유사
IRFRC20PBFVishay Siliconix3,449IRFRC20PBF-ND₩4,143.00000유사
IRFRC20TRLPBFVishay Siliconix0IRFRC20TRLPBFCT-ND₩4,143.00000유사
단종
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