Name: FQD1N80TM
Brand: onsemi
SKU: FQD1N80TMTR-ND
Price: 2568 KRW
Availability: InStock

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FQD1N80TM
DigiKey 제품 번호	FQD1N80TMTR-ND - 테이프 및 릴(TR) FQD1N80TMCT-ND - 컷 테이프(CT) FQD1N80TMDKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	onsemi
제조업체 제품 번호	FQD1N80TM
제품 요약	MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
제조업체 표준 리드 타임	13주
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 800 V 1A(Tc) 2.5W(Ta), 45W(Tc) 표면 실장 TO-252AA
규격서	규격서

제품 특성

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빈 특성 표시

종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 5V @ 250µA
제조업체 onsemi	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 7.2 nC @ 10 V
계열 QFET®	Vgs(최대) ±30V
포장 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 195 pF @ 25 V
부품 현황 활성	내전력(최대) 2.5W(Ta), 45W(Tc)
FET 유형 N채널	작동 온도 -55°C ~ 150°C(TJ)
기술 MOSFET(금속 산화물)	실장 유형 표면 실장
드레인 - 소스 전압(Vdss) 800 V	공급 장치 패키지 TO-252AA
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 1A(Tc)	패키지/케이스 TO-252-3, DPAK(2리드 + 탭), SC-63
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V	기준 제품 번호 FQD1N80
Rds On(최대) @ Id, Vgs 20옴 @ 500mA, 10V