N채널 200 V 25A(Tc) 190W(Tc) 스루홀 TO-3P
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FQA19N20L

DigiKey 제품 번호
FQA19N20L-ND
제조업체
onsemi
제조업체 제품 번호
FQA19N20L
제품 요약
MOSFET N-CH 200V 25A TO3P
고객 참조 번호
제품 세부 정보
N채널 200 V 25A(Tc) 190W(Tc) 스루홀 TO-3P
규격서
 규격서
EDA/CAD 모델
FQA19N20L 모델
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
onsemi
계열
QFET®
포장
튜브
부품 현황
단종
FET 유형
N채널
기술
MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)
200 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
25A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)
5V, 10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs
140m옴 @ 12.5A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id
2V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
35 nC @ 5 V
Vgs(최대)
±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds
2200 pF @ 25 V
FET 특징
-
내전력(최대)
190W(Tc)
작동 온도
-55°C ~ 150°C(TJ)
등급
-
인증
-
실장 유형
스루홀
공급 장치 패키지
TO-3P
패키지/케이스
TO-3P-3, SC-65-3
기준 제품 번호
FQA1
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