유형 | 제품 요약 | 모두 선택 |
|---|---|---|
종류 | ||
제조업체 | onsemi | |
계열 | ||
포장 | 테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel® | |
부품 현황 | 단종 | |
기술 | MOSFET(금속 산화물) | |
구성 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.5A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 38m옴 @ 5.5A, 10V | |
Vgs(th)(최대) @ Id | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs | 3.8nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds | 412pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 900mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면 실장 | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | |
공급 장치 패키지 | 8-SOIC | |
기준 제품 번호 |




