Name: FDP2D3N10C
Brand: onsemi
SKU: FDP2D3N10C-ND
Price: 11926 KRW
Availability: InStock

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종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 4V @ 700µA
제조업체 onsemi	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 152 nC @ 10 V
계열 PowerTrench®	Vgs(최대) ±20V
포장 튜브	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 11180 pF @ 50 V
부품 현황 활성	내전력(최대) 214W(Tc)
FET 유형 N채널	작동 온도 -55°C ~ 175°C(TJ)
기술 MOSFET(금속 산화물)	실장 유형 스루홀
드레인 - 소스 전압(Vdss) 100 V	공급 장치 패키지 TO-220-3
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 222A(Tc)	패키지/케이스 TO-220-3
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V	기준 제품 번호 FDP2D3
Rds On(최대) @ Id, Vgs 2.3m옴 @ 100A, 10V