FDP090N10 onsemi | 단일 FET, MOSFET

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종류 이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET	Vgs(th)(최대) @ Id 4.5V @ 250µA
제조업체 onsemi	게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs 116 nC @ 10 V
계열 PowerTrench®	Vgs(최대) ±20V
포장 튜브	입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds 8225 pF @ 25 V
부품 현황 단종	내전력(최대) 208W(Tc)
FET 유형 N채널	작동 온도 -55°C ~ 175°C(TJ)
기술 MOSFET(금속 산화물)	실장 유형 스루홀
드레인 - 소스 전압(Vdss) 100 V	공급 장치 패키지 TO-220-3
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C 75A(Tc)	패키지/케이스 TO-220-3
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V	기준 제품 번호 FDP090
Rds On(최대) @ Id, Vgs 9m옴 @ 75A, 10V

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추가 리소스

대체품(4)

부품 번호	제조업체	주문 가능 수량	DigiKey 제품 번호	단가	대체품 유형
CSD19533KCS	Texas Instruments	1,772	296-37482-5-ND	₩3,853.00000	유사
IPP114N12N3GXKSA1	Infineon Technologies	319	448-IPP114N12N3GXKSA1-ND	₩4,495.00000	유사
IXFP130N10T2	IXYS	0	IXFP130N10T2-ND	₩5,240.57333	유사
STP120NF10	STMicroelectronics	17,733	497-4118-5-ND	₩9,265.00000	유사

재고: 11,756

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FDP090N10