FDN359BN onsemi | 이산 반도체 제품

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FDN359BN
DigiKey 제품 번호	FDN359BNOSTR-ND - 테이프 및 릴(TR) FDN359BNOSCT-ND - 컷 테이프(CT) FDN359BNOSDKR-ND - Digi-Reel®
제조업체	onsemi
제조업체 제품 번호	FDN359BN
제품 요약	MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
고객 참조 번호
제품 세부 정보	N채널 30 V 2.7A(Ta) 500mW(Ta) 표면 실장 SOT-23-3
규격서	규격서
EDA/CAD 모델	FDN359BN 모델

제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
제조업체	onsemi
계열	PowerTrench®
포장	테이프 및 릴(TR) 컷 테이프(CT) Digi-Reel®
부품 현황	단종
FET 유형	N채널
기술	MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)	30 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	2.7A(Ta)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	4.5V, 10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs	46m옴 @ 2.7A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id	3V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	7 nC @ 5 V
Vgs(최대)	±20V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	650 pF @ 15 V
FET 특징	-
내전력(최대)	500mW(Ta)
작동 온도	-55°C ~ 155°C(TJ)
등급	-
인증	-
실장 유형	표면 실장
공급 장치 패키지	SOT-23-3
패키지/케이스	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
기준 제품 번호	FDN359

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